(史特拉斯堡19日综合电)欧洲议会、欧洲理事会和欧盟委员会三大机构周二对欧盟《晶片法案》内容达成协商共识,鼓励业者在欧盟设立半导体厂,目标是大幅提高欧洲晶片自制比重,以降低对亚洲晶片的依赖,甚至吸引外资。
去年3月,欧盟委员会提出,提供430亿欧元(约2090亿令吉)的公共和民间投资,计划大幅提升欧盟在全球晶片生产的市场占有率,最终目标是到2030年将欧盟在全球晶片的比例从9%提高到20%。欧盟《晶片法案》将把研究、设计和测试联系起来,并协调欧盟和27个成员国的投资,而在总额430亿欧元中,33亿欧元(约160.4亿令吉)由欧盟的研发预算负担。
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欧盟工业专员布雷顿表示,“欧洲将自己的命运掌握在自己手中”,“通过掌握最先进的半导体,欧盟将成为未来市场的工业强国”。
他在议会和欧洲理事会达成协议后发表声明称,“这将使我们能够重新平衡和保护我们的供应链,减少我们对亚洲的集体依赖。”
欧盟委员会主席冯德莱恩表示,该法案“将让晶片产业有竞争力,为全球市场份额奠定基础。它会为在欧洲制造的清洁技术产业提供动力,并加强我们的数字化弹性和拥有自主权。”
欧盟委员会提出了3个主要行动方针,包括一、欧洲晶片计划支持大规模技术能力建设。二、通过吸引投资确保供应安全和弹性的框架。三、监测和危机应对系统,用于预测供应短缺并在发生危机时提供应对措施。这将是一种由欧盟、成员国和私营部门的公私合作伙伴关系。
该法案将降低欧洲在地缘政治的冲击,如从乌克兰战争中暴露的脆弱性。去年俄罗斯入侵乌克兰时,欧盟急于寻找能源的替代方案以减少多年来对俄罗斯化石燃料的依赖。
欧盟立法官员表示,欧盟晶片法案在达成三方共识后,需再经过欧洲议会和部长理事会的正式背书接受,才算完成立法。
瑞典能源、商业和工业部长兼副首相布什表示,《晶片法案》协议取得共识,确保欧盟在动荡时期的弹性。新规则代表了欧洲在半导体关键领域的一场真正革命,该法案将欧洲置于尖端技术的第一线。
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