歐盟晶片法案達3方共識 2090億提升自制比重

（史特拉斯堡19日綜合電）歐洲議會、歐洲理事會和歐盟委員會三大機構週二對歐盟《晶片法案》內容達成協商共識，鼓勵業者在歐盟設立半導體廠，目標是大幅提高歐洲晶片自制比重，以降低對亞洲晶片的依賴，甚至吸引外資。

去年3月，歐盟委員會提出，提供430億歐元（約2090億令吉）的公共和民間投資，計劃大幅提升歐盟在全球晶片生產的市場佔有率，最終目標是到2030年將歐盟在全球晶片的比例從9%提高到20%。歐盟《晶片法案》將把研究、設計和測試聯繫起來，並協調歐盟和27個成員國的投資，而在總額430億歐元中，33億歐元（約160.4億令吉）由歐盟的研發預算負擔。

歐盟工業專員布雷頓表示，“歐洲將自己的命運掌握在自己手中”，“通過掌握最先進的半導體，歐盟將成為未來市場的工業強國”。

他在議會和歐洲理事會達成協議後發表聲明稱，“這將使我們能夠重新平衡和保護我們的供應鏈，減少我們對亞洲的集體依賴。”

歐盟委員會主席馮德萊恩表示，該法案“將讓晶片產業有競爭力，為全球市場份額奠定基礎。它會為在歐洲製造的清潔技術產業提供動力，並加強我們的數字化彈性和擁有自主權。”

歐盟委員會提出了3個主要行動方針，包括一、歐洲晶片計劃支持大規模技術能力建設。二、通過吸引投資確保供應安全和彈性的框架。三、監測和危機應對系統，用於預測供應短缺並在發生危機時提供應對措施。這將是一種由歐盟、成員國和私營部門的公私合作伙伴關係。

該法案將降低歐洲在地緣政治的衝擊，如從烏克蘭戰爭中暴露的脆弱性。去年俄羅斯入侵烏克蘭時，歐盟急於尋找能源的替代方案以減少多年來對俄羅斯化石燃料的依賴。