为了鸿海中国盖晶片厂? 韩国半导体名人遭控窃三星机密
（首尔28日综合外电报道）韩国检方本月控告一名三星电子前高层窃取商业机密拟在中国“复刻”三星晶片厂，外媒引述起诉书报道，嫌犯正是韩国半导体业知名人物崔珍奭，他是为了替鸿海盖20奈米DRAM厂。
韩国检方日前宣布，将现年65岁的三星电子（Samsung Electronics）前常务A某提出拘留起诉，指控他涉嫌收受中资，意图在中国境内建设“复刻版”三星电子半导体厂，违反产业技术保护法、防治不当竞争法等罪名。
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韩国检方当时表示，A某涉嫌在2018年8月至2019年间不当取得、使用三星电子半导体厂的设计基本资料（BED）与工厂配置图、设计图等商业机密，设计30奈米以下等级、DRAM与NAND快闪记忆体等被韩国政府定为国家核心技术的制造技术。
A某规划建设的工厂甚至距离三星电子中国西安厂仅1.5公里远，但建厂计划受原订来自台湾企业的资金未到位影响未能实现。
如今根据外媒见过未曾对外公布的18页起诉书，这名被告正是也曾担任过韩国另家半导体大厂SK海力士（SK Hynix）副社长的崔珍奭，他后来创办的新加坡顾问公司碁诺半导体（Jin Semiconductor），在2018年8月拿下替鸿海在中国打造半导体制造厂的合约。
外媒指出，崔珍奭一度被视为韩国晶片产业的明星，他曾在三星工作17年，期间开发了DRAM记忆体晶片，并参与晶圆制程科技研发，还因推进三星DRAM晶片技术而在公司内部获奖。
崔珍奭2001年被三星对手SK海力士挖角，并任职8年多。他在SK海力士担任制造和研发部门的技术长，协助公司由亏转盈。
起诉书指出，崔珍奭赢得鸿海合约后，短短几个月内从三星和其子公司挖走了“大量”人才，并从2家三星的承包商非法取得与建造一座晶片工厂有关的机密资料。
起诉书表示，碁诺半导体违法利用有关半导体无尘室管理的机密资料，这些资料是从承包商之一Samoo建筑工程公司（Samoo Architects&Engineers）的一名员工取得。Samoo曾参与2012年三星中国西安厂的建造工程。
起诉书还说，崔珍奭的公司从另一家承包商韩美顾乐博（Hanmi Global）的一名员工非法取得三星西安厂的蓝图，韩美顾乐博曾负责这座工厂的建筑监工及与晶片制程有关的楼平面图。
根据起诉书，崔珍奭的公司原本要替鸿海打造的新厂，规划的产能是以20奈米DRAM记忆体晶片技术月产10万片晶圆。尽管20奈米DRAM制程比三星最新的12和14奈米技术落后数年，但韩国政府仍视为是“国家核心技术”，除非取得许可或透过合伙，否则不得转移海外。
崔珍奭的律师和一名直接知情人士表示，由于鸿海退出计划，因此这座工厂从未兴建。韩国检方也未指控鸿海有任何不法行为。
鸿海在提供给外媒的声明中表示，他们知道韩国这起诉讼的相关传闻，但对于正在进行中的调查不予置评。
崔珍奭的律师称，崔珍奭约在2018年与鸿海签下建造晶片厂的初步顾问合约，设厂地点设定在西安；但鸿海一年后就终止合约，并且只支付与计划有关的薪水。律师婉拒评论鸿海为何终止合约，并以事涉敏感为由不愿提供进一步细节。
知情人士则透露，韩国检方发现，鸿海曾同意提供8兆韩元来建新厂，并已每月支付数百万美元给碁诺半导体，直到退出合约时才停止。起诉书中也未揭露鸿海退出的原因。
根据碁诺半导体公布的2018年财报，这家公司已与“一家大客户”签订5年人才供应协议，且这家客户已支付1799万4217美元的预付款。
崔珍奭今年5月底被捕遭到关押至今。他透过律师否认一切罪名。（中央社）
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