涉对华外泄晶片技术 前三星电子工程师被捕
（首尔3日中央电）韩国警方周二表示，1名前三星电子工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才，加上向中国成都高真科技（CHJS）泄漏20纳米DRAM记忆体晶片技术，遭逮捕并移送检方。
韩联社报道，首尔警察厅产业技术安全侦查队指出，64岁前三星电子工程师因涉嫌违反“职业安定法”被捕，并移送首尔中央地方检察厅。
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据报道，该男曾以顾问身分参与创立成都高真公司，同时期还在韩国成立猎头公司，以至少2至3倍的优渥薪资挖角三星电子核心技术人才，协助在中国“复刻”动态随机存取记忆体（DRAM）工厂，并于2022年4月成功生产半导体晶圆。
这座DRAM工厂从完工到投产仅费时1年3个月。一般来说，晶圆从测试到量产通常需要4至5年。
韩国警方提到，外流技术的经济价值高达4兆3000亿韩元（约134亿令吉），若考虑相关经济效益，实际损失规模更加庞大。
除了这名前工程师，还有以相同手法挖角韩国半导体人才的2位猎头公司代表及法人被移送法办。据悉猎头公司已替成都高真挖角逾30名技术人员。
尽管韩国国家关键技术外流，警方只能根据刑责较轻的“职业安定法”、而非“产业技术保护法”来逮捕涉案嫌犯。
警方解释，根据现行法规，以“挖角”方式外流技术的行为不属于“产业技术保护法”规定的惩处范围，因此有必要针对相关法律进行修法，以严惩商业间谍。
报道指，包括前三星电子工程师在内，成都高真技术外泄案共有21人遭移送法办。
成都高真创办人、前三星电子常务兼前SK海力士副社长崔珍奭等人则已被捕，他们涉嫌违反“产业技术保护法”及“防止不正当竞争及商业秘密保护法”。
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